{"id":694,"date":"2004-04-05T00:00:00","date_gmt":"2004-04-04T22:00:00","guid":{"rendered":""},"modified":"-0001-11-30T00:00:00","modified_gmt":"-0001-11-29T22:00:00","slug":"694","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.vialattea.net\/content\/694\/","title":{"rendered":"Come fanno a venire memorizzati i dati su una card come la SIM del cellulare o la SMART CARD delle fotocamere digitali, non essendoci un disco in movimento?"},"content":{"rendered":"

<\/p>\n

Le memorie SIM, Smart card, Flash memory card sono memorie a supporto
\nelettronico cio\u00e8,
\na differenza dei dischi che utilizzano un
\nsupporto magnetico per la memorizzazione dei dati,
\nsono basate su dispositivi elettronici detti EEPROM (Elettrically
\nErasable Programmable Read Only Memories). Questi circuiti sono per molti
\nversi
\nanaloghi alla memoria centrale del computer (RAM): cio\u00e8 sono costituiti
\nda numerose celle di memoria indirizzabili in modo casuale in grado
\ndi memorizzare i valori che vi vengono scritti ma, contrariamente alla
\nRAM, mantengono memoria del valore scritto anche quando viene tolta
\nl’alimentazione. Una volta che un valore \u00e8 stato scritto nella
\ncella di memoria questo viene conservato fino a che non sia esplicitamente
\ncancellato o riscritto.
\n<\/font><\/p>\n

Dal punto di vista strutturale,
\nogni singola cella della memoria \u00e8 costituita da due transistor detti:
\nPorta di controllo e Porta flottante, rispettivamente (vedi figura).
\n<\/font><\/p>\n<\/p>\n


\n\"\"\/
\n<\/font><\/center><\/p>\n

\nLa cella
\ncontiene il valore 1 quando \u00e8 possibile un flusso di corrente
\nfra la linea di parola e la linea di bit.
\nPer cambiare tale valore in 0 viene utilizzato l’effetto tunnel di
\nFowler-Nordheim. Applicando una tensione di 10-13 volt alla linea di
\nbit, viene fatta scorrere una corrente (che va a caricare la capacit\u00e0
\nverso massa).
\nTale corrente trasforma il transistor in un “cannone elettronico” che
\n“spara” elettroni attraverso il sottile strato di ossido (normalmente
\nisolante).
\nNel transistor di controllo si genera quindi una carica negativa che
\nimpedisce
\nulteriore passaggio di corrente. Un “sensore di cella” misura la
\nquantit\u00e0 di carica
\nche attraversa lo stato di ossido e sulla base della misura stabilisce
\nse il valore della cella \u00e8 0 oppure 1.
\n<\/font><\/p>\n<\/p>\n

Cancellazione<\/font><\/h3>\n

La cancellazione della memoria consiste nell’eliminare gli elettroni
\nintrappolati nelle celle a valore 0 e si effettua applicando un campo
\nelettrico opportuno a tutto il dispositivo. In questo modo tutte le celle vengono
\nsvuotate e ritornano al valore 1.<\/p>\n

<\/font><\/p>\n

\nA seconda delle applicazioni le memorie sono doate di ulteriore circuiteria
\n(controller<\/i>) per implementare le funzionalit\u00e0 richieste. Ad esempio
\nper l’uso come “memory stick” il controller simula
\nil funzionamento di un disco
\nmagnetico, in modo che non siano richiesti driver particolari
\nper la loro gestione.
\n<\/font><\/p>\n

\nAnalizziamo un tipico
\nsupporto di questo tipo: la Compact Flash<\/i> utilizzata in varie
\napplicazioni come
\nmacchine fotografiche digitali, notebook, ecc.:<\/font><\/p>\n<\/p>\n

    <\/p>\n
  • \tSta in un contenitore di
    \n36.4mm\u00a0x\u00a042.8mm\u00a0x\u00a03.3mm con connettore a 50 pin.\n<\/li>\n
  • Supporta due diverse tensioni di alimentazione: 5 Volt e 3.3 Volt.\n<\/li>\n
  • \tNon richiede batterie per il mantenimento dei dati.\n<\/li>\n
  • \tConsente elevate velocit\u00e0 di trasferimento dati:
    \n fino a 20\u00a0MB\/s a 5\u00a0V di
    \nalimentazione e fino a 6.6\u00a0MB\/s a 3.3\u00a0V di
    \nalimentazione.\n<\/li>\n

    <\/font><\/ul>\n

    \nLe memorie di tipo flash sono estremamente
    \naffidabili e robuste
    \ndal punto di vista meccanico, in quanto non hanno parti in movimento,
    \ned hanno consumi limitatissimi
    \nma, rispetto ai dischi magnetici, hanno minori capacit\u00e0 e,
    \na parit\u00e0 di capacit\u00e0, un costo
    \nassai pi\u00f9 elevato.<\/p>\n

    <\/font><\/p>\n

    \u00a0 <\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    […]<\/p>\n","protected":false},"author":198,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[61],"tags":[],"class_list":["post-694","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-hardware"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.vialattea.net\/content\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/694","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.vialattea.net\/content\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.vialattea.net\/content\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.vialattea.net\/content\/wp-json\/wp\/v2\/users\/198"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.vialattea.net\/content\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=694"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.vialattea.net\/content\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/694\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.vialattea.net\/content\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=694"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.vialattea.net\/content\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=694"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.vialattea.net\/content\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=694"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}